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林仲汉 chung h. lam 博士 | amt首席技术总裁(cto)

chung h.lam博士于1978年获得纽约理工大学学士学位,并分别于1987及1988年获得壬色列理工学院电子工程硕士及博士学位,自1978年起加入ibm公司,任职于ibm微电子部门,负责多项半导体领域,包含电路及元件设计的研究、发展及制造,同时参与记忆体及逻辑应用的制程整合。自2003起, chung调任ibm华生研究中心,2007年荣登ibm杰出工程师,自离开ibm后担任北京时代全芯存储技术股份有限公司首席技术总裁(cto)。

chung h.lam为国际电机电子学会非辉发性记忆体研讨会( ieee non-volatile memory workshop)、国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会(vlsi-tsa)、国际电子元件技术记忆体技术研讨会( iedm memory technology)之技术委员。目前他参与中国国际半导体技术大会(cstic)及国际半导体技术发展路线图制程整合及元件架构(itrs pids)之技术委员会,自2004年起, chung管理华生研究中心相变型记忆体共同计划,截至目前己经获得超过250篇美国专利及发表超过65篇技术论文。


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